海威华芯已开发出5G基站用氮化镓代工工艺

2019年5月17-19日，2019世界半导体大会在南京国际博览中心召开，大会主题是“创新协作，世界同芯”。

本次大会行业大咖云集，中芯国际周子学、美国USITO的Christopher Millward、施敏院士、全球物联网标准组织(OCF)执行董事John Joonho Park、CEC陈锡明、紫光赵伟国、台积电罗镇球等在会上进行了行业动态剖析、经验分享。

大会吸引了200多家行业知名企业参与，共举办了13场专业论坛，从资本、技术、设计、知识产权等多维度进行半导体产业发展的研讨。海威华芯受邀参加第三代半导体产业发展论坛。

论坛会议上，海威华芯副总经理李春江做了《化合物半导体与5G通信》的演讲，深入剖析了化合物半导体产业的发展趋势，详细介绍了海威华芯在5G通信方面、化合物半导体代工制造技术方面的进展。

5G通信的三大场景（增强型移动宽带、物联网、高可靠低延时）中将都将大量应用化合物半导体芯片，包括射频、光电、电力电子等。

在增强型移动宽带的场景中，需要砷化镓、氮化镓作为手机、基站的主要射频功放芯片；需要砷化镓、磷化铟作为光模块、3D传感、自动驾驶激光雷达的激光器芯片；需要氮化镓、碳化硅作为快充、无线充电、新能源汽车、电力互联网中的功率芯片。

海威华芯已经开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。

未来，海威华芯将持续围绕移动通信、光电传感、电力电子三个方向投入研发、拓展业务，奋战中国的5G通信市场，强健中国“芯”。