台积电官宣启动2nm工艺研发，预计2024年投产

近期根据台积电声明，为迎接台积电3nm厂研发及先期量产，台湾政府方面于本月11日初审通过了竹科宝山用地扩建计划，台积电将会把2nm厂研发及量产工艺落户在竹科新厂区，预计2024年投入生产。

为打造半导体人才聚落，台积电盼以竹科作为未来先进制程重要基地，扩大新竹园区范围，预计在新竹园区南侧、新竹县宝山乡分作东侧园区及西侧社区两部分扩建，总面积约33公顷，可望引进产业活动人口约2,300人。

台积电表示现有RD厂只能做到5nm，3nm以下厂房标准、高度，必须配合新规定而扩大厂房。并且强调台积电RD工程师约有7,000位，必须把这些工程师人才留在新竹。

台积电表示未来如何把RD工程师转换到先进2nm厂才是重点，因准备土地要花三到五年时间，从现在考虑到五年后，也就是说，假设2nm厂须放在新竹，才能把部分工程师从研发转换到工厂，保证不会出现人才流失的现象。

台积电创办人张忠谋先前曾表示，3nm制程将在2年内开发成功。而关于2nm工艺所需要的技术和材料，台积电并未透露。

在实现2nm工艺之前，台积电还要接连经历7nm、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。

其中，台积电的7nm 工艺将首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已即将量产；而6nm只是7nm的一个升级版，预计明年第一季度试产；5nm工艺将全面导入EUV光刻，已经开始风险性试产，明年底之前有望实现量产，苹果A14、AMD五代锐龙（Zen 4都有望采纳）；3nm有望在2021年试产、2022年量产。三星也早就规划到了3nm，预期2021年量产。