12月2日消息,华为正开始研发IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管),目前正在从某国内领先的IGBT厂商中挖人。
据悉,目前,全球IGBT市场主要由国际巨头垄断,我国作为最大的IGBT市场长期依赖进口,机构预计到2022年全球IGBT市场规模将达60亿美元。值得一提的是,工信部10月8日也表示,将持续推进芯片、IGBT模块等产业发展,另外11月21日,国内IGBT龙头斯达股份IPO刚获证监会通过,将于上交所上市。
60亿美元市场待启
IGBT是电力领域的核心器件,相当于电力电子领域的CPU,其应用广泛,按不同电压等级,高压IGBT应用于电网、轨交、风电,中压应用于工控、新能源汽车、光伏、家电,低压应用于汽车零部件、3C等诸多领域。同时,IGBT作为一种新型电力电子器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,既属于战略高新技术又属于核心关键技术。
天风证券研报显示,2022年全球IGBT市场规模将达到60亿美元。全球IGBT市场的主要竞争者包括英飞凌、三菱电机、富士电机、安森美,以及ABB等企业,前五大企业的市场份额就已经超过了70%,前十大IGBT企业中,仅有一家中国企业,即嘉兴斯达半导体股份有限公司(简称斯达股份),市场占有率2%。
另一方面,我国功率半导体市场占世界市场的50%以上,是全球最大的IGBT市场,这意味着我国IGBT产品严重依赖进口,而在中高端领域更是90%以上的IGBT器件依赖进口,IGBT国产化需求已是刻不容缓。因此,中国IGBT企业将迎来快速发展及进口替代的良好机遇。
日前,有华为内部人士透露,华为正开始研发IGBT,目前正在从某国内领先的IGBT厂商中挖人。在此之前,华为早已成为UPS电源的领军企业,占据全球数据中心领域第一的市场份额,而IGBT作为能源变换与传输的核心器件,也是华为UPS电源的核心器件。另外,华为被被卷入中美贸易战之前,华为所需的IGBT产品主要从英飞凌等IGBT原厂处采购,华为被列入实体清单后,有消息称英飞凌在美国政府的施压下曾暂停供货,尽管英飞凌很快澄清了该传闻,但这件事显然给了华为一个重要警醒。
天眼查信息显示,华为旗下的哈勃科技投资有限公司在今年8月份投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股10%。据悉,山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。相对于传统的硅材料,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍,特别适于制造耐高温、耐高压,耐大电流的高频大功率的器件。
在此之前,任正非也曾说过,华为不做股权投资,如果投资一定是战略投资。不难看出,华为正在对高端功率半导体领域进行战略投入,在其强有力的资金支持和技术优势下,华为在IGBT领域定能有所突破。
不过,针对上述华为正在布局IGBT的消息,华为方面11月29日向证券时报·e公司记者表示,“这个暂无回应,如有进一步消息后续提供”。
这些上市公司已涉足
值得一的是,10月8日,工信部网站发文称,将持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展。工信部表示,为解决工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块等核心部件的关键性技术问题,工信部等相关部门积极支持前述几大领域关键技术攻关。一是2017年工信部推出“工业强基IGBT器件一条龙应用计划”,针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大领域,重点支持IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM、上游材料、生产设备制造等环节,促进IGBT及相关产业发展。二是指导湖南省建立功率半导体制造业创新中心建设,整合产业链上下游资源,协同攻关工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键共性技术。三是指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业发展路线图(2018-2030)》,引导我国IGBT行业技术升级,推动相关产业发展。
另外,10月17日,国电南瑞发布公告,拟与国网下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司共同投资设立南瑞联研功率半导体有限公司,国电南瑞以“IGBT模块产业化项目”部分募资5.59亿元出资,占比69.8%。
国电南端表示,IGBT是国家产业政策重点支持发展的功率半导体器件,技术难度大、研发及产线建设周期长、资金投入大,核心技术一直被国外企业垄断,目前国内高端人才缺乏,国内仅有少量厂商开展高压IGBT研制业务。
此外,证券时报·e公司梳理发现,目前上市公司中,比亚迪、台基股份、士兰微、中车时代电气、扬杰科技、同方股份、中芯国际等公司均有涉足IGBT产业链。其中比亚迪已成为中国销售额前三的IGBT供应商,累计申请IGBT相关专利约180件,其中授权专利约114件。
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